花旗预计，受服务器DDR5与HBM需求同步爆发的拉动，全球存储芯片市场的供不应求态势将贯穿2031年。

具体来看，HBM位需求预计在2027和2028年分别激增62%和69%，而全球DRAM需求也将逐年增长30%和35%；但由于供给端产能增幅有限（仅为19%和22%），DRAM将面临-8.7%和-9.7%的严重供给缺口。

同样地，海量历史训练数据的存储需求正推高企业级SSD（eSSD）的强劲消耗，导致NAND需求增速（29%和33%）持续跑赢供给（21%和25%），进而产生约-6%的供需赤字。值得强调的是，由于存储原厂正将新建产能优先倾斜给利润更丰厚的DRAM与HBM，变相挤压了NAND的扩产空间，这也为整个存储芯片板块的长期高景气奠定了基础。