9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。
将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。
相当于海外巨头的1b制程，也是当前主力，不过，美光、sk海力士、三星已经在推进下一代1c工艺量产，并且在HBM等高附加值产品上领先明显。#存储#
发布于 安徽
陈红兵
9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。
将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。
相当于海外巨头的1b制程，也是当前主力，不过，美光、sk海力士、三星已经在推进下一代1c工艺量产，并且在HBM等高附加值产品上领先明显。#存储#