长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。(转澎湃新闻)

长鑫第五代DRAM技术平台正式量产，是国内存储芯片自主化进程里重要的里程碑。本次工艺将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，电容深宽比达到45:1，核心功能区高度优化至6762纳米，在微缩结构、器件设计上完成关键攻坚；最直观的产业价值在于同规格下晶圆产出较上一代提升50%以上，直接摊薄单片制造成本，改善DRAM盈利弹性。

落地端，基于该平台的24GB LPDDR5X已经量产并导入国产主流旗舰手机，意味着国产大容量移动内存从样品、小批量导入阶段，进入规模化供应链配套，给国内手机品牌提供除海外存储大厂之外稳定的备选方案，增强消费电子供应链韧性。

从行业格局看，DRAM长期由海外巨头主导，长鑫持续迭代先进节点，持续缩小与国际一线的技术代差。产能密度提升，也为后续向AI终端、车载内存等场景延伸打下基础。但客观来看，在服务器DRAM、HBM等高附加值赛道，和海外龙头相比仍存在差距，良率爬坡、客户持续验证、多场景产品拓展依然是中长期重点。

整体而言，这次量产证明国内DRAM工艺微缩路线可行，随着良率持续优化、出货规模放大，有望持续改变国内移动存储的供给结构，同时带动上游半导体设备、材料的国产配套需求。
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