【#长鑫科技第五代技术平台正式量产#】
9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产，该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点。
据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米；同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。
两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。