针对旗舰手机黑屏问题，有业内观点指出，14nm以下工艺受量子隧穿效应影响明显，且英特尔的7nm、5nm等工艺实际是14nm的改进型，只是迫于宣传压力才更改命名。
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针对旗舰手机黑屏问题，有业内观点指出，14nm以下工艺受量子隧穿效应影响明显，且英特尔的7nm、5nm等工艺实际是14nm的改进型，只是迫于宣传压力才更改命名。