【AI找到两种室温反铁磁半导体候选】下一代自旋电子存储长期受困于材料瓶颈：铁磁体存在漏磁干扰，普通反铁磁体又无法按自旋区分电子。Vals AI团队借助Claude模型找到了两款兼具两者特性的鲁廷格补偿半导体，不仅对外净磁矩为零、无杂散磁场，还拥有远大于室温热扰动的自旋极化窗口。其中自主设计的氧化物YBaMnFeO₅理论性质优异，但高温制备易发生原子乱序；而1999年就已合成的普鲁士蓝类似物KV[Cr(CN)₆]凭借天然稳固的晶格骨架，在高达376 K的温度下依然保有磁有序，成为极具实验落地前景的室温候选物。计算细节及复现代码见 vals.ai /blogs/room-temperature-magnetic-semiconductors