【传三星电子 12Hi HBM4E 内存已通过英伟达等主要客户质量验证测试】该芯片结合了 1c nm DRAM Die 与 4nm Logic Die，单堆栈容量达 48GB，支持 14~16Gbps 引脚速率。
IT之家
【传三星电子 12Hi HBM4E 内存已通过英伟达等主要客户质量验证测试】该芯片结合了 1c nm DRAM Die 与 4nm Logic Die，单堆栈容量达 48GB，支持 14~16Gbps 引脚速率。