长鑫存储（CXMT）计划在今年年底前向服务器市场推出采用 4F² 架构的 DDR5 RDIMM。在第四届集成芯片与芯粒（Chiplet）大会上，公司总裁曹坎宇表示，计划于年底前发布一款基于其 4F² DRAM 技术的下一代 DDR5 RDIMM。目前行业主流的存储单元架构为 6F²。得益于垂直环绕栅极（Vertical Surrounded Gate）晶体管技术，4F² 布局更为紧凑，可将存储单元密度提升 30% 至 50%，并能有效应对漏电及短沟道效应。该公司已拥有超过 300 项相关专利。

服务器 DDR5 市场此前一直由三星、SK 海力士和美光主导。专家认为，这是一项涉及架构层面的技术突破，而不仅仅是单纯的制程微缩。据部分报道显示，这一时间表比三星公布的 4F² 路线图提前了约两年。更高的存储单元密度有助于提升存储容量（bit density）。然而，能否实现大规模出货，还取决于产品认证、良率以及服务器插槽的适配情况。