【SK海力士推出3D FeNAND技术】《科创板日报》15日讯，SK海力士现已公布3D FeNAND实现模拟存内计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。据介绍，A-CiM可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。SK海力士表示，FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。 （TheElec）