摩根士丹利存储器渠道调研

HBM+英伟达Rubin

1. 价格：2027年HBM ASP预计同比大涨121%；HBM4单价3–5美元/Gb，HBM4e高于5美元/Gb。

2. 供给：Rubin机架爬坡不及预期，2026出货不到1万台（原目标1.5万），2027年上半年后才成为主流；HBM4良率受限，8层堆叠良率优于12层，2027年成为主流。

3. 衍生机会：单颗HBM容量有限，推理KV缓存向主机内存转移，利好RDIMM、SOCAMM。

DRAM

1. 价格上调：26年Q4合约价预期上调至环比+10%~15%；PC DRAM弹性最大，移动DRAM涨幅最弱。

2. 需求与产能：美国云厂商追加2027年RDIMM订单；韩厂产能转向服务器DRAM/HBM，PC DRAM产量同比或降超20%。

3. 产品结构：DDR5模组现价低于DDR4约10%；2027年DDR4供给收缩约20%。

4. 资本开支：26、27年DRAM资本开支大幅大增，但新增有效产能要等到2027下半年才释放。

NAND /企业SSD

1. 价格上调：26Q4 NAND环比上调至+15~20%；企业SSD弹性更强，环比+23~28%，显著强于消费端。

2. 架构变化：美国云厂商AI推理KV缓存，从TLC SSD+HDD切换到成本更低的QLC SSD。

3. 库存分化：企业SSD紧缺、消费NAND库存积压，厂商捆绑消费库存出货。