【美光扔出王炸！DDR6带宽暴涨2倍 400层NAND量产】美光近日公布下一代存储全路线图，DDR6带宽是DDR5两倍，跳过一代的G11 NAND堆叠超400层位密度翻倍，1δDRAM、G11 NAND计划2027下半年量产，全新vHBM垂直堆叠方案2028年推出。
发布于 北京
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【美光扔出王炸！DDR6带宽暴涨2倍 400层NAND量产】美光近日公布下一代存储全路线图，DDR6带宽是DDR5两倍，跳过一代的G11 NAND堆叠超400层位密度翻倍，1δDRAM、G11 NAND计划2027下半年量产，全新vHBM垂直堆叠方案2028年推出。