【400层闪存有多猛！美光跳过G10直奔G11：密度翻倍还省电】美光在2026年度技术网络研讨会上预告其下一代G11 NAND闪存产品。该产品堆叠层数突破400层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，最高可实现1.5倍的I/O速率，数据传输能耗降低25%以上。
发布于 河南
快科技官方