【IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|西交利物浦大学刘雯:宽禁带氮化物半导体器件与单片集成技术 ——从GaN HEMT到全GaN智能功率芯片】11月16-19日，第十二届国际第三代半导体论坛暨第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将在江苏苏州召开。西交利物浦大学教授刘雯受邀将出席论坛，并带来《宽禁带氮化物半导体器件与单片集成技术 ——从GaN HEMT到全GaN智能功率芯片》的主题报告。http://t.cn/AXYvXaGv