【IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究】11月16-19日，第十二届国际第三代半导体论坛暨第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将在江苏苏州召开。九峰山实验室功率器件负责人/碳化硅首席专家袁俊受邀将出席论坛，并带来《新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究》的主题报告。 http://t.cn/AXjAAHdt