据行业媒体近日报道,全球最大芯片代工厂台积电正在考虑进军先进存储芯片制造领域,而这一计划是应其最大客户英伟达的要求而启动的。英伟达正积极寻求扩大关键零部件的供应来源,以应对AI驱动的内存芯片严重短缺。
该计划聚焦于3D DRAM先进存储芯片,与将内存单元单层排布的传统DRAM不同,3D DRAM通过垂直堆叠存储单元来提高存储密度,有望成为下一代DRAM技术的重要发展方向。此项评估由台积电副总裁徐国晋牵头,他负责公司的先进封装业务。目前,台积电正在评估两种实施方案:一是新建工厂,二是收购现有半导体工厂并改造为存储芯片生产设施,但尚未设定量产时间表。
此举标志着台积电可能从其核心的逻辑芯片代工及先进封装业务,进一步延伸至存储制造领域,直接与三星电子、SK海力士和美光科技等传统存储巨头展开竞争。不过,台积电已回应称其“始终聚焦核心业务”,并对市场传闻不予置评。这家顶尖的纯晶圆代工厂,要在一个技术门槛和资本支出门槛极高、竞争异常残酷的存储市场中,与三星、SK海力士及美光展开角逐吗?
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