#台积电否认筹备3DDRAM制造业务#
IT时代网11月7日消息，针对外界关于其进军DRAM制造的说法，台积电方面作出回应，强调公司始终专注于核心业务，即专业集成电路代工，使命是长期作为全球逻辑芯片产业可信赖的技术与产能提供者。
这一否认针对的是此前流传的一项说法：在全球存储芯片供应持续紧张、存储从普通商品变成影响整机能否交付的战略资源之后，台积电已在最大客户英伟达提出要求后着手筹备3D DRAM制造方案，相关规划由负责先进封装的副总经理许国晋牵头。
3D DRAM与传统DRAM的区别在于，把存储单元从单层平面改为垂直多层堆叠，以提升单片晶圆的容量。美光、三星、SK海力士三家主要存储厂商都在推进各自的3D DRAM项目，其中美光在转向3D DRAM之前还规划了至少四代平面DRAM工艺。
台积电与存储厂商在系统级封装中合作紧密，但本身并不具备DRAM尤其是3D DRAM的专业能力与产能。DRAM制造需要完全不同的工艺，若自建产线必须从头开发；而缺乏有竞争力的平面DRAM工艺，直接做3D DRAM在缺陷控制与良率上极难实现。
从时间表看，即便对头部存储厂商，3D DRAM也仍需数年，这条路线至少五年内无法缓解存储短缺。另一条可能路径是收购具备自有产能的小型特种存储厂商，由此获得进入先进DRAM制造的可信通道，但这类厂商同样缺少前沿的通用DRAM节点。