2026创新信息学论坛 | 宽禁带半导体
在全球半导体技术迭代升级与新一代电子信息产业变革的背景下，以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体，凭借宽禁带宽度、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、低损耗等优异光电性能，是第三代半导体体系的核心基石，也是支撑高频通信、新能源电力电子、高端精密装备、储能系统等战略领域发展的关键核心材料。现阶段，我国宽禁带半导体领域科研攻关进程持续加快，应用场景不断拓展，但产业与科研体系仍存在短板，亟需高水平学术交流与技术研讨突破关键瓶颈。