【#三星SK海力士争抢EUV配额#】先进DRAM的扩产竞赛，眼下卡在一台台设备的交付排期上。据媒体报道，三星电子与SK海力士正在竞争性下单采购极紫外（EUV）光刻机，两家投入规模都在10万亿至20万亿韩元区间（约526亿至1053亿元人民币）。阿斯麦已明确2027至2028年存在EUV供给缺口，能否锁定交付排期，成了两家扩产先进DRAM的关键。

两家计划从明年起分批接收设备。SK海力士今年3月披露，将采购价值约11.95万亿韩元（约629亿元人民币）的EUV设备，交付截止日为2027年12月31日。受供给紧张影响，核心设备交付周期已拉长到原先最长周期的两倍，两家正考虑提前下单，后续还可能视情况追加，资本开支进一步上行的可能性随之抬升。

三星的订单与其平泽基地的投资节奏匹配。去年11月，三星公布五年450万亿韩元（约2.37万亿元人民币）的本土投资方案，其中包含平泽P5产线，目标2028年投产，单座P5晶圆厂投资规模超过60万亿韩元（约3158亿元人民币）。行业预期，P5一期洁净室工程明年上半年完工后设备将陆续进场，三星已为这条产线下单光刻设备。

EUV依靠13.5纳米波长光源刻蚀电路，能减少过去靠多次曝光拆分图形的多重图形化工序。对10nm级第六代（1c）这类先进DRAM来说，随着电路间距继续缩小，使用EUV的工艺层数不断增加。集邦咨询称，SK海力士计划在1c DRAM上把使用EUV的工艺层数推到5层以上，比上一代增加两层。

供给端的紧张在阿斯麦的三季报里已有体现：按当前规划，2027至2028年EUV供给无法满足客户需求。今年EUV出货约65台，较去年的44台增长近50%；即便2027年产能提升30%、2028年再扩30%，供给依然不足。核心产品涨价的影响将于明年逐步体现，2028年充分显现。今年三季度，存储客户已占阿斯麦整机销售额的46%。

工艺积累上，三星2020年3月出货业内首款采用EUV的DRAM模组，目前是存储行业拥有EUV设备最多的厂商；SK海力士2021年2月在利川M16工厂落地首台EUV设备，去年9月引入业内首台高数值孔径（High-NA）EUV量产机台，三星则计划2028年把High-NA EUV导入DRAM量产。后端环节同样吃紧，韩美半导体与安靠的订单储备已排满两到三年，扩产重点集中在AI数据中心所需的热压键合机等关键设备上。