【#三星拟明年初完成3D Cube-H开发#】11月10日，据外媒报道，三星电子计划于2027年初完成先进封装技术3D Cube-H的开发，并在同期完成首批设计套件（Design Kit），随后向潜在客户开放评估。这项技术以混合键合（Hybrid Bonding）为基础，能够将多颗芯片进行垂直堆叠，主要面向下一代高性能AI芯片，也是三星争夺先进封装市场的重要布局。

3D Cube是三星推出的3D芯片堆叠技术，通过将不同芯片垂直叠放，在相同面积内集成更多晶体管。此前，三星已经开发出采用热压键合（TC Bonding）技术的3D Cube-T，如今正在推进采用混合键合技术的3D Cube-H，进一步提高芯片之间的连接密度和性能。

两种技术的主要区别在于芯片连接方式。传统热压键合需要在芯片之间放置微小凸块，再通过加热和施压完成连接，工艺相对成熟，具有成本和良率方面的优势。混合键合则可以让芯片之间的铜连接端子直接结合，减少中间连接结构，并将端子排列得更加紧密，从而提高数据传输密度。

根据报道，三星3D Cube-H正在研发的互连间距约为6微米，而此前采用热压键合的3D Cube-T最小间距约为25微米。更小的间距意味着单位面积内可以布置更多连接通道，有助于提高芯片之间的数据传输能力，同时降低每比特数据传输所需的能耗。由于减少了传统凸块结构带来的热阻，混合键合在散热方面也具有一定优势。

高性能AI芯片是3D Cube-H的重要应用方向。例如，GPU等高性能逻辑芯片可以通过垂直堆叠提高集成度，也可以将逻辑芯片直接堆叠在高带宽内存（HBM）上方，缩短数据传输距离。随着AI模型规模扩大，GPU与内存之间的数据交换需求持续增长，先进封装已经成为影响AI芯片性能和能效的重要环节。

三星计划在2027年初完成首批设计套件，随后邀请潜在客户进行评估。这意味着3D Cube-H目前仍处于技术开发和客户验证准备阶段，距离正式量产还有一定距离。