【安森美EliteSiC M4进一步提升功率密度，应对持续增长的电力需求】安森美（onsemi）推出基于沟槽架构的第四代碳化硅平台EliteSiC™ M4。与上一代相比，该平台有助于将功率密度提升达30%，损耗降低达35%。EliteSiC M4进一步提升导通和开关性能，有助于实现更高效率、更高功率密度的AI数据中心、电动汽车及能源基础设施系统。http://t.cn/AXYWnlDW #张国斌的芯发布#