我国攻克半导体材料世界难题
从“岛”到“膜”的跨越，见证中国半导体的突围！西电团队通过精准调控离子注入，让半导体材料生长从随机“播种”变为有序“耕耘”，制备的氮化镓器件在关键波段功率密度提升30%-40%。这一突破不仅解决芯片“热堵点”，更提供了材料集成的中国范式。
发布于 江西
科技明星君 26-01-17 15:01
我国攻克半导体材料世界难题
从“岛”到“膜”的跨越，见证中国半导体的突围！西电团队通过精准调控离子注入，让半导体材料生长从随机“播种”变为有序“耕耘”，制备的氮化镓器件在关键波段功率密度提升30%-40%。这一突破不仅解决芯片“热堵点”，更提供了材料集成的中国范式。