#我国芯片制造装备又有新突破#近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升！我国攻克半导体材料世界难题！！！

给大家翻译解释一下。

在芯片制造中，不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递，成为器件性能提升的关键瓶颈。通俗的解释就是，以前芯片里的材料层像是“小石子路”，热量散不出去，容易发热降速。西电的团队想了个绝招，用“离子注入”技术把这层结构变成了超级平整的“高速公路”。这样一来，散热效率直接起飞，实验数据表明性能提升了30%到40%。

这意味着以后不管是手机信号、雷达探测还是新能源车，性能都会更强，而且这项技术还能推广到更多材料上，是实打实的硬核突破！

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