【西安电子科技大学攻克世界难题，为半导体材料高质量集成提供“中国范式”】西安电子科技大学郝跃院士团队打破了20年的半导体材料技术瓶颈，创新性地在第三代半导体芯片晶体上注入高能离子，让晶体成核层崎岖的表面变得平整光滑，这一突破将半导体的热阻降低至原来的三分之一，解决了第三代乃至未来半导体芯片面临的共性散热难题 。基于这项创新技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件单位面积功率较目前市面上最先进的同类型器件性能提升了30%到40%，为解决各类半导体材料高质量集成提供了可复制的中国范式，相关成果日前发表在国际顶级期刊《自然·通讯》和《科学·进展》上。#丝路财经# （西安发布 群众新闻 西安电子科技大学） http://t.cn/AXGcjpUC