芯片制造核心装备迎新突破 我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束

近日，中核集团中国原子能科学研究院传来重磅消息，由其自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平。这一成果标志着我国已全面掌握该类型设备的全链路研发技术，不仅攻克了功率半导体制造链的关键环节，更为推动高端制造装备自主可控、筑牢产业链安全防线奠定了坚实基础。

作为芯片制造领域的“四大核心装备”之一，离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并列，是半导体制造过程中不可或缺的刚需设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的典型范例，既能显著提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，也将为“双碳”目标的实现、新质生产力的加速形成提供强有力的技术支撑。

此前，我国高能氢离子注入机长期被国外技术“卡脖子”，完全依赖进口，其研发难度大、技术壁垒高的特性，成为制约我国战略性产业升级的重要瓶颈。中国原子能科学研究院凭借在核物理加速器领域数十年的技术积淀，以串列加速器技术为核心突破口，成功破解一系列技术难题，全面掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，一举打破了国外企业在该领域的长期技术封锁与市场垄断。