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她把一生，刻进中国的“芯”里

2026年3月23日，中国科学院微电子研究所发布讣告：中国共产党党员、中国科学院院士、我国杰出的微电子科学家吴德馨同志，因病医治无效，在北京逝世，享年90岁。

对许多人来说，这个名字或许陌生，但翻开中国半导体事业的编年史，吴德馨几乎贯穿了从“一穷二白”到追赶世界的关键节点。她用六十多年时间，在硅片上刻下了一个朴素而坚定的答案：科学，要为祖国服务。

🎓 从清华园到“两弹一星”

1936年，吴德馨出生于河北乐亭。1955年，她以优异成绩考入清华大学无线电电子工程系，成为新中国第一批半导体专业的学生。1961年毕业后，她进入中科院半导体研究所，自此与“芯片”结下一生的缘分。

当时，西方国家对我国实行严密的技术封锁，而“两弹一星”工程急需高性能计算机的核心器件。吴德馨临危受命，承担“平面型高速开关晶体管”的研究任务。她和团队在几乎没有任何参考资料的情况下，反复试验，攻克了提高开关速度的关键难题。这项成果不仅达到当时国际同类产品水平，更被推广应用于“两弹一星”配套的“109丙”计算机，为国防尖端事业立下汗马功劳。

🔬 从实验室到工业化

改革开放后，我国集成电路产业面临“造得出样品，做不出产品”的困境，大规模集成电路（LSI）成品率长期只有1%—3%。吴德馨再次扛起重担，在国内率先研制出MOS 4K位动态随机存储器（DRAM），并系统性引入正性胶光刻、干法刻蚀等先进技术。她独创的“露点检测法”，通过让芯片“出汗”来精准检测接触孔质量，大幅提升了成品率，为我国集成电路从实验室走向工业化奠定了基础。

此后，她带领团队乘胜追击，接连攻克16K位、64K位DRAM技术，并自主开发3微米、0.8微米CMOS全套工艺，使我国集成电路工艺水平逐步接近国际主流。

💡 布局前沿，抢占制高点

上世纪80年代，吴德馨敏锐地意识到化合物半导体和高速光通信的重要性。她在国内率先布局砷化镓（GaAs）微波集成电路和光电模块研究，成功研制出0.1微米砷化镓异质结高电子迁移率晶体管（PHEMT）和10Gbps高速光发射驱动电路，为我国高速通信芯片国产化迭代提供了关键支撑。

担任中科院微电子中心主任期间，她推动建立了从工艺研发、器件设计到测试验证的全链条科研体系，使微电子中心成为我国集成电路关键技术攻关的核心国家队平台。

❤️ 一生朴素，一生纯粹

在同事和学生眼中，吴德馨是一位治学严谨、精益求精的科学家，也是一位生活朴素的“邻家大姐”。她常说：“芯片工艺差一微米，就全盘作废。”这种对细节的极致追求，源于她对国家和事业的敬畏。

她与丈夫王圩院士是半导体领域的“学术伉俪”，两人携手走过半个多世纪，将“为祖国半导体事业奉献力量”作为共同的奋斗目标。即便在晚年，她依然关心学科发展和人才培养，用一生诠释了“科学报国”的深刻内涵。

🕊️ 斯人已逝，精神永存

吴德馨院士的逝世，是我国微电子领域的重大损失。但她留下的技术遗产、治学精神和家国情怀，将永远激励着后来者砥砺前行。

今天，当我们享受着数字时代的便利时，不应忘记那些在冷板凳上默默奉献的科学家。吴德馨院士用一生告诉我们：真正值得尊敬的，是那些把论文写在祖国大地上的人。

愿吴德馨院士一路走好，她的名字，将永远镌刻在中国半导体事业的丰碑上。