【#天成半导体攻克 14 英寸碳化硅单晶#，国产大尺寸 SiC 再攀高峰】#天成半导体#

中北高新区企业天成半导体近日宣布，继 2025 年实现 12 英寸高纯半绝缘与 N 型碳化硅单晶 “双突破” 后，依托完全自主研发的长晶设备，成功研制出14 英寸（350mm）碳化硅单晶材料，有效厚度达30 毫米，晶体零微管缺陷、位错密度达到国际先进水平。此次突破是公司在大尺寸 SiC 技术路线上的又一次跨越式升级，标志着我国在第三代半导体核心材料领域，从 12 英寸量产能力向 14 英寸前沿技术的关键跨越。http://t.cn/AXIbf3Cp