4月17号，长电科技发了个公告： 实现玻璃基TGV射频IPD性能突破！

在说TGV之前，得先说个背景。

芯片封装这件事，最近几年突然变得极其重要。为啥？因为摩尔定律的脚步在放缓，单纯靠把晶体管做小来提升性能，这条路越来越难走了。于是行业把目光转向了另一个方向，封装。

把芯片堆起来。把不同功能的芯片塞进同一个封装里。让它们像配合默契的团队一样协同工作。

这就是先进封装。

而玻璃基，就是先进封装里一条正在崛起的新路线。

芯片封装，传统的基底材料是啥？

树脂（俗称塑料）或者陶瓷。

这两种材料各有各的问题。树脂的问题是介电损耗高，信号跑起来衰减厉害，尤其在高频场景下，5G、6G这种波段，信号根本撑不住。陶瓷的导热好，但加工难度大，机械脆，还贼贵。

玻璃呢？

介电常数低，信号衰减就低。热稳定性好，加工起来相对容易。最关键的是，玻璃的透光性让它能做光学集成，这在未来光通讯时代是个巨大的优势。

就这三条，让玻璃成了半导体封装圈子里公认的「白月光」。

好，玻璃好，但玻璃有个致命问题。

它没法像硅那样直接刻电路。

硅上能做微孔，叫TSV（Through-Silicon Via，硅通孔），把芯片堆起来信号互联。玻璃上做孔，这个工艺难太多了，热膨胀系数不匹配、孔壁粗糙度难控制、孔与孔之间的间距做不小。

这就是TGV（Through-Glass Via，玻璃通孔）要解决的问题。

长电这次公布的成果，说到底就是他们在TGV这件事上实现了工程化突破。

具体是怎么做的呢？

两个关键词，玻璃通孔结构加上光敏聚酰亚胺再布线工艺。

TGV负责打孔，让玻璃上下能导通。

光敏聚酰亚胺再布线负责在玻璃表面重新布局电路，把射频的无源器件（电感、电容、电阻这些）做进去。

结合起来，就能在玻璃基底上构建三维集成的无源器件。

那这会带来什么？

射频前端模块里那些过去不得不占用宝贵芯片面积的电感、电容，可以挪到玻璃基底上来做了。芯片的面积就省出来了。

而且这次长电做的是晶圆级验证。

晶圆级是啥概念？

就是在整片晶圆上同时加工几百上千颗芯片，做完再切割。好处是效率高、成本低、一致性好。能过晶圆级验证，说明这个工艺是能被量产接受的，不是实验室里昙花一现的东西。

实测数据也支持这个判断。

他们做了完整的测试结构，射频性能达标，工艺窗口稳健。

5G到6G这个区间，对射频前端的要求是变态的。

带宽越来越宽，频率越来越高，功耗还得压低。这三件事放在一起，几乎是个不可能三角。传统的PCB方案已经摸到天花板了，SoC集成也受限于芯片面积。

所以行业在找第三条路。

玻璃基IPD，给这个困境提供了一个有竞争力的答案。

它的介电损耗低，适合高频。它的热管理好，支持大功率。它的工艺兼容性好，能跟现有封装线衔接。

这不是替代现有方案，而是给系统级封装多了一个选项。

长电科技，不是第一次在先进封装上秀肌肉了。

这家公司是国内封测领域的绝对龙头，全球排前三。这几年在Chiplet、在2.5D/3D封装、在TGV上一直在持续投入。

但技术归技术，商业归商业。

TGV这条路，目前还是成本偏高的阶段。玻璃基IPD真正大规模量产落地，还需要整个产业链的配合，材料厂商、终端客户、IDM厂，都得跟上。

所以这个公告的意义是啥？

证明了可行性。证明了工程路径走得通。

从「能不能做」到「能不能量产」，中间还有距离。但第一步已经迈出去了。

说到底，半导体这个行业，从来就不是靠一个技术点单打独斗的。

每一次进步，都是材料、设备、设计、封装一环扣一环往前拱。

TGV玻璃基这条路，我个人是长期看好的。

不是因为它听起来高大上，而是因为它解决的都是真实的工程问题，信号损耗、芯片面积、热管理。真正的问题被解决，只是时间问题。

剩下的，就是等成本曲线往下走。

这个时间，可能五年，可能十年。

但方向是对的。

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