光芯片及磷化铟行业分析　

光芯片业绩高增验证AI光互连景气，磷化铟材料瓶颈有望迎来重估。　

近期光通信产业链年报及一季报持续兑现高景气，光芯片公司收入及利润实现快速增长，头部光模块厂商订单能见度延伸至2026-2027年，部分客户已开始规划2028年需求，表明AI超节点、万卡集群建设带来的高速光互连需求并非短期脉冲，而是进入持续放量阶段。光芯片作为光模块核心器件，其业绩高增意味着产业链景气已从下游模块向中上游核心器件传导。　

InP是高速光芯片的重要材料底座，光芯片放量将强化上游衬底稀缺性。　

技术路径上，VCSEL退出1.6T，EML和硅光接力，InP方案占比提升。光模块路线从 VCSEL→EML→硅光。VCSEL用GaAs砷化镓衬底，EML用磷化铟磷化铟衬底，是当前高速主流；硅光是Si+外挂磷化铟光源，磷化铟用量降到EML的约1/10，属于未来方向。材料端，根据光芯片龙头Lumentum在OFC大会指引，2025年GaAs占21%、磷化铟路线占79%，预计到2030年变成9%:91%，对未来五年磷化铟磷化铟CAGR指引约85%。　　

行业刺激：磷化铟管制+高纯铟对日限制升级，供给扰动催化涨价，国内供应链渗透率提升，量价齐升　

25年2月4日，商务部、海关总署对铟相关物项实施出口管制，磷化铟被列入管制范围，出口需向商务主管部门申请许可。海外磷化铟进入短缺。　

26年2月24日，商务部将20家日本实体列入出口管制管控名单，另20家日本实体列入关注名单；关注名单下，出口经营者不得申请通用许可，最终用户、最终用途审查更严，日本住友、日本金属均在关注名单上，日本材料链条压力加大，海外原料高纯铟紧缺，导致磷化铟进一步紧张。　

国内磷化铟衬底在国内物料相对宽裕的大背景下，逐步实现国产替代，市占率提升，且磷化铟衬底同步涨价下，国内产业链量价齐升空间打开。　

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