TSV（硅通孔）不是绕开EUV，而是用“先进封装+Chiplet”，把7/14nm成熟工艺“堆”出3nm级性能，是当前国产半导体最现实的弯道超车路径。
​一、TSV是什么？（通俗版）
​• TSV = 硅通孔：在硅片上垂直打超细孔（头发丝1/14），填铜做垂直通道。
​• 形象比喻：
​◦ 传统封装：信号走“外部盘旋楼梯”，慢、损耗大。
​◦ TSV：芯片堆叠里的高速电梯，信号垂直直达，路径最短、带宽最高。
​二、为什么是现在的核心抓手？
​• 国内最大短板：缺EUV光刻机，上海微电子DUV最多到7nm，做不出纯3nm单芯片。
​• TSV+Chiplet方案：
​◦ 不用死磕3nm制程，用7nm/14nm成熟芯粒。
​◦ 垂直堆叠+TSV互连，整体达到3nm级算力/性能。
​◦ 大幅降低对EUV依赖，是现阶段最可行路线。
​三、产业链全景（A股公司）
​1）封测/晶圆级代工（中游）
​• 长电科技：全球TSV第一梯队，HBM3e带宽960GB/s，已供国产AI芯片。
​• 晶方科技：CIS影像传感器TSV全球龙头，市占率高。
​• 华天科技：TSV-CIS量产，布局3D堆叠、扇出型封装。
​• 通富微电：8–12层DRAM堆叠，良率>90%，绑定AMD。
​• 深科技（沛顿）：HBM封装用TSV+3D堆叠。
​• 赛微电子：TSV绝缘层工艺领先，含TGV/键合。
​2）材料/耗材（上游）
​• 上海新阳：TSV电镀液、bumping添加剂。
​• 鼎龙股份：TSV抛光液，已验证+订单。
​• 艾森股份：TSV铜填充电镀液/添加剂。
​• 华特气体：TSV刻蚀气体（HBM核心耗材）。
​• 安集科技：TSV通孔/混合键合抛光液、电镀液。
​• 雅克科技：TSV电子特气、前驱体。
​3）设备（上游）
​• 中微公司：ICP刻蚀，3D DRAM做到140:1高深宽比，全球唯一量产。
​• 北方华创：TSV全流程（深孔刻蚀、绝缘/种子层沉积）。
​• 拓荆科技：TSV孔壁绝缘/阻挡层沉积。
​• 汇成真空：TGV溅射镀膜设备。
​• 微导纳米：低温薄膜沉积（适配TSV）。
​• 晶盛机电：晶圆减薄设备（TSV后道关键）。
​4）检测与测试（配套）
​• 伟测科技：3D封装AI芯片测试方案（TSV结构）。
​• 精测电子、中科飞测、精智达：半导体检测/量测/测试设备。
​四、一句话总结
​EUV卡脖子，TSV破局点；用成熟工艺“堆”出3nm性能，产业链已基本自主可控。