【国内首次！#九峰山实验室实现8英寸原子层沉积金属钼工艺突破#】#九峰山实验室# #金属钼#

金属薄膜的沉积精度直接决定了器件性能的天花板。而金属钼（Mo）薄膜的低电阻、高均匀、易量产工艺一直是行业难题。九峰山实验室化合物半导体中试平台-工艺平台深度联动国产原子层沉积（ALD）设备厂商，实现了ALD Mo工艺新突破——以稳定、高效的MoCl₂O₂原料为前驱体，在400℃下制备出高性能金属钼薄膜，这是国内首次基于8英寸平台实现该工艺的开发。

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