#价值投资日志[超话]# 技术壁垒：磷化铟是“地狱级”
• 高端ML­CC
◦ 难点：粉体纯度、超薄叠层（≈1μm）、烧结良率
◦ 突破：国内三环、风华已接近，2–3年可追平
◦ 扩产：设备交期1–1.5年，投资中等（单产线≈5亿）
• 磷化铟
◦ 难点：1000℃+高压单晶生长、位错密度控制（<5000/cm²）、良率爬坡3–5年
◦ 格局：日美垄断90%，国内仅云南锗业6英寸量产
◦ 扩产：单产线≥12亿、建设2–3年、设备高度定制
四、国产替代空间：磷化铟更“卡脖子”
• 高端ML­CC：国产化率≈10%，但国内产能扩张快，2–3年有望到30%
• 磷化铟：国产化率<5%，6英寸几乎空白，5年内难有大规模突破