#华为半导体领域新突破#
这个事太牛了。
很简单大白话说明白，就是芯片晶体以前都不断用光刻机来刻集成电路，做到了超微距，现在做到3nm（3纳米），甚至更小，但已经接近物理墙（极限）。硅原子间距约等于0.5nm，3nm的晶体管沟道，也就6–7个硅原子宽。再往下（2nm、1nm），电子会发生量子隧穿。漏电、功耗巨大。

一则买不到光刻机、二则后续研发极限已经看得到，
华为也不致力这么干了，花几百亿甚至更到代价去突破3纳米？
另辟蹊径，直接靠架构和设计创新，在现有国产工艺（≈7nm/5nm）上，做出“等效1.4nm”的性能和密度，绕开EUV光刻机卡脖子。

相当于一本字典，过去大家比赛谁能把字印刷得更小，字越小信息越多。
华为绕开了比小的赛道，开始比谁能把书页堆叠排版更巧妙更高明、载入信息更多。最终都实现信息载入更快更高就齐活了……