【消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发】三星电子以“上部卡盘”解决了晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，位线与字线的改进也同时改进了功耗和尺寸。
IT之家
【消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发】三星电子以“上部卡盘”解决了晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，位线与字线的改进也同时改进了功耗和尺寸。