存储技术发展方向就是超高堆叠，目前产品才堆叠到一百多层而已，将来还要堆叠金城武刘嘉玲，每层都要消耗同等六氟化钨。
【消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发】三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。
发布于 北京
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存储技术发展方向就是超高堆叠，目前产品才堆叠到一百多层而已，将来还要堆叠金城武刘嘉玲，每层都要消耗同等六氟化钨。
【消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发】三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。