#江城实验室破解芯片供电难题# 武汉芯片技术再突破。江城实验室攻克三维片上电容技术,密度突破 1000纳法/平方毫米,性能提升百倍。解决AI训练卡顿、手机发热降 频等芯片供电难题。全链条自主可控,打破海外工艺壁垒,一年内有望商用落地。武汉集成电路研发硬实力再添新突破。#同城热点创作计划# http://t.cn/AXXcyv4F
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