确实减配石锤，从12层到8层。

三星电子和SK海力士预计将在向英伟达出货的第六代高带宽存储器（HBM4）中增加8层产品的份额。主要驱动力是英伟达的采购策略，即通过确保更广泛的HBM选项来应对热管理问题并提升供应链稳定性。下一代HBM4E产品也越来越可能以8层配置为中心。

据业内人士26日消息，三星电子和SK海力士计划在今年下半年向英伟达增加8层HBM4产品的供应。

这两家公司此前一直在为英伟达下一代Vera Rubin系列AI加速器供应12层HBM4产品。HBM是一种将多个DRAM芯片垂直堆叠的存储器类型，这意味着12层产品包含12个堆叠的DRAM芯片。三星电子预计将在今年第一季度开始全面量产出货，随后SK海力士将在第二季度跟进。

然而，最近英伟达对HBM供应链的态度开始发生变化。根据三星电子和SK海力士内部及周边人士的说法，两家公司计划在今年下半年逐步增加8层产品在向英伟达HBM4出货中的份额，而不是12层产品。

“英伟达最近要求供应商将主要HBM4产品配置从12层改为8层，”一位存储半导体业内人士表示。“据我了解，今下半年供应计划已据此进行修订。”

另一位人士表示：“此前已有一些8层HBM4的需求，但下半年该产品的需求增加，这也影响了相关材料和组件的订单。目前还为时过早，无法确定确切比例，但8层产品在向英伟达HBM4出货中的份额将越来越高的趋势将变得清晰。”

业内人士认为，这一变化可能源于多种因素的综合作用。从性能角度来看，热问题已成为一个担忧。HBM4将输入/输出通道数量——即数据传输路径——与上一代相比翻倍至2048，这不仅在单个芯片层面大幅增加发热量，还会影响整个服务器机架系统。

供应链因素也被认为发挥了作用。目前HBM供应极为紧张，这是因为全球大型科技公司对AI基础设施的大力投资。与此同时，HBM4的性能和密度提升使其更难实现高良率。虽然HBM所用核心DRAM芯片的良率可以相对快速改善，但堆叠12个芯片、键合并封装成品的过程会显著降低良率。

因此，英伟达被认为正在寻求更多8层产品的采购量，同时维持现有的12层HBM4供应，从而为未来的AI加速器提供更广泛的存储容量选项。

“英伟达在设计最新AI平台时，将热管理置于最高优先级，”一位半导体业内人士表示。“这与其说是降低单个芯片规格，不如说是寻找最优的系统级配置，因此不太可能导致整体市场需求发生重大变化。”

HBM4的继任者HBM4E也越来越可能主要以8层而非12层配置出货。HBM4E预计将用于英伟达下一代Rubin Ultra AI加速器。

“虽然12层和16层HBM4E样品也在讨论中，但根据目前与客户的讨论，明年供应的HBM4E产品很可能以8层为主，”一位资深存储半导体业内人士表示。“然而，由于Rubin Ultra是否使用HBM4E还是HBM4等问题尚未解决，整个行业的不确定性仍然很高。”