关于骁龙8EEGen7/sm8995(暂命名):
a16/1.6nm制程工艺,n2p的下一代工艺1.4nm可能解决高频高功耗问题,骁龙8ee6/sm8975预计将使用1.6nm工艺进行半代更新,为下一代soc进行高频验证适配,且1.4nm为解决高频高功耗问题做准备。
下代sm8995(暂命名)1.4nm工艺制程明年上半年可能得到验证。
台积电已完成1.6纳米芯片研制,计划第四季度量产。
A16/1.6nm采用台积电自研的Super Power Rail(SPR)背面供电技术,把供电线路移到晶圆背面,让正面更多空间留给信号传输,重点针对AI和高性能计算芯片。
相比N2P,A16/1.6nm可在相同功耗下提升8%–10%性能,或在相同性能下降低15%–20%功耗,芯片密度最高提升约10%。
台积电的“埃米时代”正式进入量产阶段。
我关心的台积电陆续更新迭代:1.6/1.4/1.2/1nm,性能升级和功耗控制,比2nmn2p功耗低,彻底解决高频功耗高问题。
#高通#
发布于 上海
