#长鑫科技，新突破#9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台(简称“G5平台”)实现量产，公司还同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。据介绍，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电#http://t.cn/AXOT9sT2 (来自@同花顺)