【长鑫技术新突破：4F²架构产品预计年底亮相】#长鑫科技最新突破# 10月10日，长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。目前DRAM行业内主流的架构是6F²架构。6F² 是衡量 DRAM存储单元面积的一个核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，实现了存储密度的提升。