【消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造，有望为英伟达打造3D DRAM】 11月7日IT之家消息，科技媒体《The Information》11月6日援引两名知情人士报道，台积电正考虑进军先进内存芯片制造，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额。台积电近期已应最大客户英伟达的要求，开始规划生产3D DRAM先进内存芯片，该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量，是应对AI算力高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。目前台积电未确定量产时间与产能来源，正评估兴建专用新厂、收购改造现有晶圆厂两条路径。该动向若落地，台积电将从主营的晶圆代工、逻辑芯片制造，延伸至三星电子、SK海力士、美光长期主导的存储芯片市场，也有助英伟达缓解AI加速器高带宽内存供应压力。台积电回应称不评论市场传闻，强调始终专注晶圆代工核心业务，英伟达未回应置评请求。
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