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26-06-18 10:25 微博认证:集成电路社区集微网官方微博

【#SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器“HBM4E”12层堆叠样品#】#SK海力士##HBM4E#

韩国首尔,2026年6月18日——SK海力士(简称‘公司’,http://t.cn/RhxESzS)18日宣布,公司已向主要客户供应12层HBM4E样品,该产品是面向人工智能(AI)的下一代超高性能DRAM。
SK海力士表示:“凭借长期以来积累的HBM先导开发能力和量产经验,公司成功向客户提供12层HBM4E样品。我们将与主要客户紧密协作,致力于确保按时量产。”此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

http://t.cn/AXaEaExu