【1.4纳米工艺，日趋成熟】#芯片##半导体#

2026年7月，岛积电在最新财报电话会上表示，其A14工艺（兵器迷注：1.4纳米级，第二代全环绕栅极GAAFET工艺）研发进展顺利。

与N2工艺(兵器迷注：2纳米，第一代GAA工艺）相比，A14在相同功耗和晶体管数量下，性能可提升10%至15%；在相同频率和复杂度下，功耗可降低25%至30%。混合设计的晶体管密度预计提升约20%，逻辑晶体管密度提升约23%。

目前A14工艺的性能和良率表现均明显提升——
测试器件性能已接近目标值的90%，4月份为85%
256Mb SRAM的测试片良率也接近90%，4月份为80%

因此，A14计划于2028年下半年进入量产。