Hybrid Bonding这个技术有多种应用。对比一下Kirin2026和O100的技术异同点：

技术共同性：

- 超高密度的垂直互连：两者都抛弃了传统的微凸块（Micro-bump），改用铜对铜（Cu-Cu）直接按键合与介电层粘合。这让讯号传输距离从毫米（mm）级大约到微米（μm）级，大大降低功耗并拉高精度。

-极限级别的按键合 间距（Bond Pitch）：两者的按键合间距均压低至物理极限边缘（小米为1.4 µm，华为为1.5 µm），这在目前的行动与边缘侵犯端芯片中都属于全球顶尖水平。

技术相异点

- 主要定位： 手机核心SOC vs 独立AI加速芯片

- 结构组成：逻辑层 ＋ 逻辑层 (Logic + Logic 垂直分割) vs 记忆体 ＋ 逻辑层 (DRAM + NPU)

- 技术架构： F2F 近存架构 vs LogicFolding（逻辑折叠，韬定律）

- 解决的痛点：解决晶体管密度 vs 解决存储带宽墙