英伟达推出定制版HBM：迫使三星与台积电联手！

近日，AI出人意料地在三星与台积电之间催生了一场临时联盟，而这场联盟的幕后推手正是英伟达。据最新报告，英伟达的定制化NVHBM需要一种更为精简的制造方案，由三星与台积电共同参与，两家公司已联手在3纳米制程节点上研发“基础晶圆”，最终目标是打造一款标准化产品，从而减少质量验证环节。美光和SK海力士也已加入这一行列，因为英伟达希望通过采用同一制程工艺来确保性能的一致性。

实际上，三星在开发HBM的核心与基底芯片时通常采取“交钥匙”模式，但英伟达的自研方案彻底改变了这一惯例。英伟达承诺，其定制HBM在功耗降低多达15%的同时，能够提供比标准HBM4E高30%的内存带宽。然而要实现这些诱人的性能优势，英伟达必须确保各内存厂商之间的标准化，这也正是其强硬要求三星、美光和SK海力士在台积电3纳米制程节点上生产NVHBM基础晶圆的原因。
换言之，英伟达不再满足于被动采购内存，而是主动介入制造环节，以统一制程为杠杆，把原本各自为政的内存厂商纳入同一技术轨道。此外，核心芯片还需采用第六代DRAM工艺即1c工艺。推动各大内存厂商统一采用同一制造工艺，初衷是确保成品具备一致的性能表现。由于只有台积电的3nm制程被用于核心芯片，英伟达无需再逐一验证各家供应商的样品，从而在这一本可避免的负担上节省了宝贵的时间与资源——这一举动的实质，是英伟达将质量验证的主动权从供应商手中收回，以标准化换取量产效率。

据Wccftech最新报道，三星已接受这一请求，这标志着这家韩国巨头首次不再采用“交钥匙”模式。不过该公司仍在评估其自有晶圆代工厂，以防NVHBM的市场需求超出台积电的产能。标准HBM的核心与基底芯片的开发将继续由三星负责，鉴于该方案需求旺盛，三星也乐于与台积电建立临时合作关系。
值得注意的是，这场联盟并非三星与台积电的主动结盟，而是英伟达以客户之力强行撮合的结果：它以订单为筹码，要求内存厂商统一采用台积电3nm制程生产基础晶圆，从而把原本分散于多家供应商的验证负担大幅压缩，同时以台积电3nm为锚点锁定性能一致性。

英伟达此举不仅降低了自身的设计与验证成本，更在事实上重塑了HBM供应链的权力结构——内存厂商从各自为政的“交钥匙”提供者，转变为遵循英伟达既定标准的执行者。这一联盟的形成，为定制HBM的大规模量产铺平了道路，也预示着AI芯片巨头正从幕后走向台前，直接主导上游内存制造的技术路线。
#科学新闻# #英伟达定制版HBM迫使三星与台积电联手# #英伟达台积电突传大动作#