防中国对手崛起，三星、SK海力士紧急升级中国工厂

10月21日，企查查报道，面对长江存储崛起及AI存储需求增长，三星电子与SK海力士正升级中国工厂以生产更先进NAND闪存芯片，核心是将制造能力提升至韩国本土水平。据知情人士透露，两家公司正努力在中国工厂生产堆叠层数超过200层的NAND芯片。三星西安工厂约占其全球NAND产量的40%，目前推进内部代号“Monami”计划，将产线转换为286层V9 NAND，目标今年12月达到月产5000片晶圆，2027年12月提升至4万片。SK海力士计划将其大连工厂从目前的192层产品升级至240层以上。