我国攻克半导体材料世界难题
西电郝跃院士团队传来重磅捷报，成功破解半导体散热这一全球难题！通过首创“离子注入诱导成核”技术，将传统粗糙的“岛状”界面转为原子级平整薄膜，界面热阻直降三分之二。基于该技术的氮化镓器件功率密度刷新国际纪录，为5G/6G通信、卫星互联网发展注入中国动力，彰显硬核科技实力。