#我国攻克半导体材料世界难题# 可喜可贺啊!由西安电子科技大学郝跃院士团队首创的"离子注入诱导成核"技术，破解了困扰全球半导体行业近20年的芯片散热世界级难题!

将界面热阻降至传统结构的1/3，并刷新氮化镓器件功率密度国际纪录30%-40%。

这也意味着半导体材料的散热性能将会更好。祝愿祖国繁荣昌盛!永远富强!#数码闲聊站[超话]##数码科技评论[超话]#