芯片制程已经到了物理极限，普遍认为1纳米是尽头，这是单原子级的限制，再小就穿了，主要源于量子隧穿效应，当晶体管的关键尺寸缩小到1纳米以下，电子会像"幽灵"一样穿透绝缘层，导致晶体管漏电、无法正常关闭。台积电A16只比上一代性能提升12%，能效比很差，而成本增加更多。

芯片1纳米后，再小的性能必要性也很小了，现在不是单颗芯片不够小，而是如何将更多GPU/TPU+HBM高良率CPO在AI芯片上，以后的竞争在先进封装，台积电VoPoS和intel EMIB机会都大。此外三星电子FOWLP、日月光FOPLP都在练肌肉，已经报名参赛。