说了不能被ban吧，[doge]，我看你们（有懂哥）都不吱声，就我嘴欠，不过我在合代码，反正闲着也是闲着。
在现有DUV工艺下提升30-50%密度和能效，这是一条"夹缝中求生存"的工程路线，很悲壮，但是和重塑半导体，等效1.4nm一毛钱关系也没有
比如我们以前喊等效7nm，其实用DUV多重曝光模拟出类似7nm密度的效果
这次说等效1.4n：用逻辑折叠把155→238MTr/mm²，拿这个密度去对标台积电路线图
为什么台积电/三星没这么做？是不是他们都是弱智？其实不是想不到，而是商业上不合算
逻辑折叠要付出三大代价：
工艺复杂度飙升：双层有源层混合键合，光刻层数翻倍，工艺流程从600步→1000+步
散热成死结：两层有源层都在发热，中间还有微米级的导热间隔，TSV散热通道有限
EDA工具完全重写：台积电、Synopsys、Cadence投资了几百亿美元的平面设计生态链，全要推倒重来
台积电们这些”弱智“的逻辑： 我能把7nm→5nm→3nm→2nm一路缩下去，良率高、生态成熟、现金流稳，为什么要自断手脚去搞逻辑折叠？
这次的逻辑： 我被卡在7nm（DUV多重曝光），先进EUV拿不到，只能在"已有工艺×3D折叠"这条路上找突破。这是被逼出来的选择，但不是最优解。
逻辑折叠这条路，别人不是没想过
我举几个栗子
台积电 SoIC（3D Fabric） 做封装级堆叠，没下放到逻辑电路重设计
英特尔 Foveros / Foveros Direct 也是封装级，没碰标准单元库重写
三星 X-Cube / SAINT 同样封装级，主推3nm GAA
我如果没记错中科院/浙大之前发过类似"LogicFolding"论文 停留在学术论文，没量产
说什么改变人类半导体走向的发明，未免有点太瞧不起人类了[二哈][彩虹屁][彩虹屁][彩虹屁][彩虹屁][doge][相爱][相爱][相爱]
就说到这里，自己判断吧