5月25日，多家媒体报道称，曾参与台积电日本熊本3nm产线关键项目的中国半导体科学家达博（Da Bo），近日已携整个研究团队回国，并将加入中国一所顶尖高校。

达博此前长期任职于日本国家材料科学研究所（NIMS），曾是该机构最年轻的独立PI（首席研究员）之一。他还曾主导美国泛林集团（Lam Research）与NIMS的联合研究项目，重点攻关台积电3nm量产线相关的等离子刻蚀材料与工程问题。

公开资料显示，达博曾开发“白电子”技术，通过调控二次电子能谱，提高二维材料检测效率。这项技术被认为对电子束检测和先进半导体测试设备具有重要意义。

在日本科研界，达博曾获得多项半导体领域奖项，并被日本电子束领域权威、阪大名誉教授清水隆一评价为“学术接班人”。

值得关注的是，此次并非个人回国，而是“整建制回归”。达博过去几年在NIMS组建的团队成员，多数为中国研究人员及中科大背景人才，此次几乎整体返回中国。

外界普遍认为，这次回国将直接补强中国在半导体设备、核心材料及关键零部件领域的短板，尤其是在5nm以下先进制程所需的刻蚀材料和核心工艺环节。目前，这些领域中国仍较依赖海外技术。

达博本人表示，希望未来推动中国半导体设备、材料及核心零部件达到世界先进水平。